SiC SBD-贵州芯际探索科技有限公司

国产高可靠功率半导体器件研发、生产

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SiC SBD系列

SiC SBD 可实现Si FRD 无法实现的极短反向恢复时间，且反向恢复特性几乎不受温度变化影响，实现器件的高速开关。其导通过程中没有额外载流子的注入和储存，反向恢复电荷量（Qrr）小，可降低开关损耗。SiC SBD 弥补了 Si SBD 的不足，是高压快速与低功率损耗、耐高温相结合的理想器件。

产品特点

01反向恢复电荷少，开关损耗低

02反向恢复时间短，实现高速开关

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