SGT MOSFET-贵州芯际探索科技有限公司

国产高可靠功率半导体器件研发、生产

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SGT MOSFET系列

SGT MOSFET （屏蔽栅 MOSFET），是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件，是一种非常适合中低压应用的高性能器件。赛思致力于开发高性能 SGT MOSFET 产品，通过优化器件寄生电容，极大的降低了器件的优值参数FOM (RDSON*Qg) ，目前产品覆盖 40V~200V范围，最大电流300A。

产品特点

01极低导通电阻，低FOM(RDSON*Qg)，高EAS能力

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