SJ MOSFET-贵州芯际探索科技有限公司

国产高可靠功率半导体器件研发、生产

当前位置：首页 > 企业业务 > 国产高可靠功率半导体器件研发、生产

SJ MOSFET 系列

超结 MOSFET主要通过采用电荷平衡技术来实现极低的导通电阻性能，赛思通过采用多次外延技术实现了极低导通电阻 RDSON 和优值系数FOM(RDSON*Qg)，应用中可减少系统功率损耗并提高其转换效率，并且采用寿命控制技术对体二极管进行了优化处理，实现了优异的反向恢复特性。

产品特点

01通态阻抗小，通态损耗小

02同等功率下封装小，有利于电源小型化

03栅极开启电压高，抗干扰能力强

04栅电荷小，驱动功率小

05结电容小，开关损耗小

Copyright©贵州芯际探索科技有限公司黔ICP备2023001952号-2