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IGBT单管
IGBT模块
IPM
SJ MOSFET
VD MOSFET
SGT MOSFET
Trench MOSFET
FRD
SiC MOS
SiC 功率模块
SiC SBD
SiC JBS
HVIC 系列产品
IGBT单管系列
IGBT 作为电力电子装置和系统中的CPU,是高效节能减排的主力军,是工业控制及自动化领域的核心部件。赛思采用先进的沟槽棉场截止(TRENCH FS)技术,结合国 际领先的工沙平台,效力于为客户提供稳定可靠,性能优良的产品。目前可提供 600V-1200V电压等摄的IGBT单管,封装形式但括TO-247T0-247PLUS、TO-220.TO-220 、TO-3P 等,适用于电机控制、通用变频、不问断电源、太阳能逆变器等应用。
产品特点
01
较低的饱和压降,较快的开关速度,较强的短路承受能力;TO-251TO-252TO-126TO-220FTO-220TO-220F-2
02
阈值电压和饱和压降等参数一致性好,饱和压降为正温度系数,易于并联使用;3.最大结温150°℃~175℃;TO-220-2TO-262TO-263TO-247TO-247-2TO-247Plus
03
最大结温 150°℃~175℃
04
内置快恢复二极管 FRD,反向恢复特性良好
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