IGBT模块-贵州芯际探索科技有限公司

国产高可靠功率半导体器件研发、生产

当前位置：首页 > 企业业务 > 国产高可靠功率半导体器件研发、生产

IGBT模块系列

I赛思工艺技术全面，IGBT 模块覆盖所有焊接式产品和部分压接式产品，满足光伏、风力发电和新能源汽车等行业模块封装需求。采用自主设计的第四代沟槽栅场截止 (Trench FS) IGBT 芯片，后续逐步推出第六代/第七代沟槽栅场截止 IGBT 芯片的模块，可实现更低的损耗、更高的功率密度和更高的工作结温 (175℃ )。

产品特点

01高可靠性，极佳的功率循环（PC）和温度循环（TC）能力

02高功率密度和工作结温

03关键参数一致性好，易于并联使用

04采用先进的槽栅场截止 (Trench FS) IGBT 芯片，具有静态参数、动态参数和短路参数的良好折中特性

Copyright©贵州芯际探索科技有限公司黔ICP备2023001952号-2