VD MOSFET-贵州芯际探索科技有限公司

国产高可靠功率半导体器件研发、生产

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VD MOSFET系列

VDMOS 兼有双极晶体管和传统 MOS 器件的优点，无论是开关应用还是线性应用，VDMOS 都是理想的功率器件。赛思采用条形元胞结构，通过在工艺上对 N-JFET 的调整，减小 JFET 效应，使器件的导通电阻减小，从而降低了器件工作时的温升，提高了系统的转换效率，同时在 EAS 能力方面具有较大优势，产品的电压覆盖范围 500V~800V，电流覆盖 2A~25A，可提供更多的产品选择。

产品特点

01低Crss和低Qg, 降低开关损耗

02低导通阻抗，降低导通损耗

03高抗浪涌能力

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