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IGBT单管
IGBT模块
IPM
SJ MOSFET
VD MOSFET
SGT MOSFET
Trench MOSFET
FRD
SiC MOS
SiC 功率模块
SiC SBD
SiC JBS
HVIC 系列产品
Trench MOSFET系列
Trench MOS 是一种传统沟槽功率器件,具有高可靠性和高性价比,主要适用于中低压场合。赛思采用先进的沟槽技术,进一步降低了传统 trench MOSFET 的导通电阻和FOM(RDSON*Qg),目前主要产品覆盖20V~100V。主要应用于DC-DC、电池管理系统、LED、电机驱动等领域。
产品特点
01
低导通电阻,低FOM,高EAS能力,高性价比。
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